判斷題側(cè)墻用來環(huán)繞多晶硅柵,防止更大劑量的源漏注入過于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。
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BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
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