圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

版圖設計的基本前提是什么？

集成電容主要有幾種結構？

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

MOS器件存在哪些二階效應？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。