金屬化中可選用的金屬材料有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。