問(wèn)答題集成電路設(shè)計(jì)流程，三個(gè)設(shè)計(jì)步驟？
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進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
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常壓的硅外延方法有（）。
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影響封裝芯片特性的溫度有（）。
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目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
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刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
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CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
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刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
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摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
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硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
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