常壓的硅外延方法有（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。