摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

常壓的硅外延方法有（）。