IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。