問答題列舉出你見到的、想到的不同類型的集成電路及其主要作用？
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1.單項選擇題化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
A.還原劑
B.分散劑
C.腐蝕介質(zhì)
D.磨料
2.單項選擇題進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
A.堿溶液清洗
B.有機溶液清洗
C.HF結(jié)尾的清洗工藝
D.去離子水沖洗
3.多項選擇題消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
A.選擇合適的掩蔽膜
B.在氧化前，將窗口處的硅腐蝕掉深度，再進行局部氧化
C.退火
D.高壓氧化工藝
5.單項選擇題當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
A.最低摻雜劑量
B.臨界劑量
C.損傷劑量
D.摻雜劑量
6.多項選擇題多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
A.印刷多層法
B.生板疊層法
C.磁控濺射法
D.厚膜多層法
7.單項選擇題注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
A.能量
B.溫度
C.劑量
D.質(zhì)量
8.單項選擇題如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
A.化學(xué)物質(zhì)
B.金屬離子
C.融解的氧氣
D.細(xì)菌
9.單項選擇題下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
A.金屬離
B.微粒
C.純度
D.濃度
10.單項選擇題硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm
最新試題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項選擇題
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
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摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項選擇題
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注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項選擇題
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題型：多項選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項選擇題