A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11972-1997
D、GB/T50081
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B、GB/T4111
C、GB/T11970-1997
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B、GB/T4111
C、GB/T11971-1997
D、GB/T50081
A、最大值最小值
B、最大值最大值
C、最小值最小值
D、最小值最大值
A、ACB.A3.5.B05.600×200×250A.GB11968
B、ACB.A3.5600×200×250A.B05.GB11968
C、600×200×250A.B05.GB11968.ACB.A3.5
D、GB11968.ACB.A3.5.600×200×250A.B05
A、7.6
B、6.7
C、6.5
D、5.6
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
改良西門子法的顯著特點不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。