單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中在燒結(jié)普通磚制樣時(shí),應(yīng)將磚樣切斷或鋸成兩個(gè)半截磚,每個(gè)半截磚長(zhǎng)不得小于(),如果不足,應(yīng)另取備用磚補(bǔ)足。
A、100mm
B、90mm
C、110mm
D、120mm
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1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)的材料試驗(yàn)機(jī)示值相對(duì)誤差不大于()。
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
2.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)的材料試驗(yàn)機(jī)預(yù)期最大破壞荷載應(yīng)在量程的()之間。
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
3.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度精確至(),抗壓強(qiáng)度精確至()。
A、0.1MPa,0.01MPa
B、0.01MPa,0.1MPa
C、0.01MPa,0.01MPa
D、0.1MPa,0.1MPa
4.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中做抗折強(qiáng)度試驗(yàn)時(shí),應(yīng)以()N/s的速度均勻加荷直至試件斷裂。
A、50
B、150
C、50或150
D、50~150
5.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度試驗(yàn)的抗折夾具下支輥的跨距為磚規(guī)格長(zhǎng)度減去(),但規(guī)格長(zhǎng)度為190mm的磚,其跨距為()。
A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
最新試題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題