制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱(chēng)為（）。

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法