單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中抗壓強(qiáng)度試驗的材料試驗機(jī)示值相對誤差不大于()。

A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%


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2.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度精確至(),抗壓強(qiáng)度精確至()。

A、0.1MPa,0.01MPa
B、0.01MPa,0.1MPa
C、0.01MPa,0.01MPa
D、0.1MPa,0.1MPa

最新試題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型:單項選擇題

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型:單項選擇題

下列是晶體的是()。 

題型:單項選擇題

硅片拋光在原理上不可分為()

題型:單項選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:單項選擇題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是()

題型:單項選擇題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。

題型:單項選擇題

改良西門子法的顯著特點不包括()

題型:單項選擇題

PN結(jié)的基本特性是()

題型:單項選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()

題型:單項選擇題