單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定寬度應(yīng)在磚的兩個(gè)（）的中間處分別測(cè)量?jī)蓚€(gè)尺寸。當(dāng)被測(cè)處有缺損或凸出時(shí)，可在其旁邊測(cè)量，但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至（）。

A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm


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2.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中尺寸測(cè)量的量具應(yīng)為（）。

A、游標(biāo)卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、磚用卡尺

最新試題

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

題型：多項(xiàng)選擇題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題