單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定長度應(yīng)在磚的兩個(gè)()的中間處分別測量兩個(gè)尺寸。當(dāng)被測處有缺損或凸出時(shí),可在其旁邊測量,但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至()。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
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1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中尺寸測量的量具應(yīng)為()。
A、游標(biāo)卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、磚用卡尺
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懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項(xiàng)選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
題型:單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項(xiàng)選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項(xiàng)選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型:單項(xiàng)選擇題