如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

PN結(jié)的基本特性是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）