濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。