比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

版圖設計的基本前提是什么？

集成電容主要有幾種結構？

什么是MOS器件的體效應？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。