問(wèn)答題簡(jiǎn)述部分離子注入工藝的作用。

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根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

題型：?jiǎn)柎痤}

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

題型：?jiǎn)柎痤}

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

題型：?jiǎn)柎痤}

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

題型：?jiǎn)柎痤}

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線(xiàn)，請(qǐng)畫(huà)出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

題型：?jiǎn)柎痤}

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

題型：?jiǎn)柎痤}

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱(chēng)為（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

題型：?jiǎn)柎痤}

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。

題型：?jiǎn)柎痤}