封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。