1、原生氧化層 2、屏蔽氧化層 3、遮蔽氧化層 4、場區(qū)和局部氧化層 5、襯墊氧化層 6、犧牲氧化層 7、柵極氧化層 8、阻擋氧化層
1、整形處理:去掉兩端,檢查電阻確定單晶硅達到合適的摻雜均勻度。 2、切片 3、磨片和倒角 4、刻蝕 5、化學機械拋光
縮寫中文含義 APCVD HDPCVD LPCVD PECVD PVD BJT CD CMOS CMP MIC ILD MBE SOI DUV MOCVD BSG PSG BPSG RTP RTA IC LOCOS STI LI VLSI CA FIB ARC ASIC RIE FIB EUV LDD
最新試題
消除鳥嘴效應的方法有()。
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項?()
化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個?()
光刻工藝對準誤差包括()。
摻雜后退火時間一般在()。
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關?()
新的平坦化方法有哪幾個?()
摻雜后,退火的目的是()。
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標?()