注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。