判斷題在熱氧化過(guò)程的初始階段，二氧化硅的生長(zhǎng)速率由氧化劑通過(guò)二氧化硅層的擴(kuò)散速率決定，處于線性氧化階段。
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1.判斷題用來(lái)制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，這是因?yàn)椋?00）面的表面狀態(tài)更有利于控制MOS器件開(kāi)態(tài)和關(guān)態(tài)所要求的閾值電壓。
2.問(wèn)答題列出幾種常見(jiàn)封裝的名稱。
3.問(wèn)答題封裝前的準(zhǔn)備過(guò)程包括哪些？目的如何？
4.問(wèn)答題描述封裝工藝的流程，并說(shuō)明每一步的目的？
5.問(wèn)答題封裝有哪些功能？
最新試題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型：判斷題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題