填空題在設(shè)計(jì)與制造晶體管時，為提高晶體管的電流放大系數(shù)，應(yīng)當(dāng)（）基區(qū)寬度，（）基區(qū)摻雜濃度。
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注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
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下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
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題型：單項(xiàng)選擇題
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
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光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題