CMP的設備構成包括（）。

光刻工藝的特點包括（）。

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

常壓的硅外延方法有（）。

消除鳥嘴效應的方法有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。