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填空題當(dāng)對PN結(jié)外加正向電壓時，其勢壘區(qū)寬度會（），勢壘區(qū)的勢壘高度會（）。

1.填空題PN結(jié)的摻雜濃度越高，則勢壘區(qū)的長度就越（），內(nèi)建電場的最大值就越（），內(nèi)建電勢Vbi就越（），反向飽和電流I0就越（），勢壘電容CT就越（），雪崩擊穿電壓就越（）。

2.填空題當(dāng)采用耗盡近似時，由N 型耗盡區(qū)中的泊松方程可以看出，摻雜濃度越高，則內(nèi)建電場的斜率越（）。

3.填空題在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中，P區(qū)一側(cè)帶（）電荷，N區(qū)一側(cè)帶（）電荷。內(nèi)建電場的方向是從（）區(qū)指向（）區(qū)。

4.名詞解釋MOSFET本征電容

5.名詞解釋耗盡層寬度W

P型材料和N型材料接觸后形成PN結(jié)，由于存在濃度差，就會產(chǎn)生空間電荷區(qū)，而空間電荷區(qū)的寬度就稱為耗盡層寬度W。