封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。