表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。