單項選擇題硅片制備主要工藝流程是（）
A.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B.單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C.單晶生長→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測→打包
D.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包
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1.單項選擇題半導體硅工業(yè)產(chǎn)品不包括（）①多晶硅②單晶硅③外延片④非晶硅
A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④
2.單項選擇題在工業(yè)生產(chǎn)中廣泛用的是（）
A.化學清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗
3.單項選擇題對于鑄造多晶硅氧濃度越（），鈍化效果越（），少數(shù)載流子壽命增加越（）
A.低，好，多
B.低，好，少
C.低，差，多
D.高，好，多
4.單項選擇題在我國通常稱為工業(yè)硅或冶金級硅含量在（）以上。
A.90%
B.92%
C.95%
D.97%
5.單項選擇題晶體的生長方式在人工制備中用的比較少的是（）
A.固相生長
B.液相生長
C.氣相生長
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題