懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；