A、硫酸鋇
B、硫酸亞鐵
C、硫酸鎂
D、硫酸鋁
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A、剪切強(qiáng)度
B、抗壓強(qiáng)度
C、抗拉強(qiáng)度
D、抗折強(qiáng)度
A、游離氧化鎂
B、游離氧化鈣
C、石膏的摻入量
D、氧化鋁
A、假凝
B、終凝
C、快凝
D、緩凝
A、結(jié)晶水
B、外加水
C、吸附水
D、自由水
A、固液氣三相
B、固液兩相
C、固氣兩相
D、液氣兩相
最新試題
下列是晶體的是()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
PN結(jié)的基本特性是()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門(mén)子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。