單項選擇題陶瓷坯料組成的表示方法不包括：（）
A、配料比表示
B、物理組成表示
C、化學組成表示
D、實驗公式表示
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1.單項選擇題從結構上看，陶瓷組成相中不包含：（）
A.結晶物質
B.氣孔
C.液相
D.玻璃態(tài)物質
2.單項選擇題普通玻璃中，煤粉的含率在生產上一般控制在：（）
A.0.2%-3.5%
B.5%-8%
C.18%-26%
D.3%-5%
3.單項選擇題配料計算中芒硝含率指：（）
A.芒硝引入的Na2O/純堿引入的Na2O
B.芒硝引入的Na2O/（芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O）
C.純堿引入的Na2O/芒硝引入的Na2O
D.純堿引入的Na2O/（芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O）
4.單項選擇題玻璃的組成不包括：（）
A.玻璃游離體
B.玻璃形成體
C.玻璃調整體
D.玻璃中間體
5.單項選擇題KH，SM（），生料難道；反之易燒。SM，IM（）難燒，要求較高的燒成溫度。
A.高低
B.低高
C.低低
D.高高
最新試題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題
多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。
題型：單項選擇題