單項(xiàng)選擇題從結(jié)構(gòu)上看，陶瓷組成相中不包含：（）
A.結(jié)晶物質(zhì)
B.氣孔
C.液相
D.玻璃態(tài)物質(zhì)
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1.單項(xiàng)選擇題普通玻璃中，煤粉的含率在生產(chǎn)上一般控制在：（）
A.0.2%-3.5%
B.5%-8%
C.18%-26%
D.3%-5%
2.單項(xiàng)選擇題配料計(jì)算中芒硝含率指：（）
A.芒硝引入的Na2O/純堿引入的Na2O
B.芒硝引入的Na2O/（芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O）
C.純堿引入的Na2O/芒硝引入的Na2O
D.純堿引入的Na2O/（芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O）
3.單項(xiàng)選擇題玻璃的組成不包括：（）
A.玻璃游離體
B.玻璃形成體
C.玻璃調(diào)整體
D.玻璃中間體
4.單項(xiàng)選擇題KH，SM（），生料難道；反之易燒。SM，IM（）難燒，要求較高的燒成溫度。
A.高低
B.低高
C.低低
D.高高
5.單項(xiàng)選擇題從硅酸鹽水泥生產(chǎn)熟料實(shí)際組成來看，其氧化鈣的低限大約為：（）
A、55%
B、62%
C、67%
D、72%
最新試題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
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懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
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下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題