單項選擇題淬火和退火同一玻璃的密度相比較，（）
A、前者大于后者
B、相同
C、前者小于后者
D、無法判斷
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1.單項選擇題下列氧化物中，加入過量會使玻璃的料性變短的是（）
A、SiO2
B、CaO
C、MgO
D、Na2O
2.單項選擇題扎哈里阿森（Zachariasen）提出的形成氧化物玻璃的規(guī)則中，氧多面體應當相互（）
A.共角
B.共棱
C.共面
D.不相聯(lián)
3.單項選擇題能夠單獨形成玻璃網(wǎng)絡形成體的單鍵能一般大于（）
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
4.單項選擇題玻璃熔制的主要設備為（）。
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
5.單項選擇題一次風占燃燒所需要空氣量的（）。
A、15％－30％
B、20％―50％
C、40％―60％
D、50％―70％
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題