單項選擇題陶瓷的主要原料包括()。
A、粘土
B、高嶺石
C、蒙脫石
D、以上全是
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1.單項選擇題陶瓷玻化成瓷期的起始溫度是()
A、800℃
B、850℃
C、900℃
D、950℃
2.單項選擇題回轉(zhuǎn)窯中溫度最高的是()。
A、分解帶
B、放熱反應(yīng)帶
C、燒成帶
D、預(yù)熱帶
3.單項選擇題在硅酸鹽水泥熟料的煅燒中固相反應(yīng)影響因素不包括()。
A、溫度和反應(yīng)時間
B、生料的細度及均勻性
C、原料的性質(zhì)
D、燒成設(shè)備
4.單項選擇題()一般不用于水泥生產(chǎn)。
A、回轉(zhuǎn)窯
B、立窯
C、隧道窯
D、立波爾窯
5.單項選擇題不屬于高溫加工過程中的三種方式的是()。
A、煅燒
B、燒成
C、熔化
D、燒結(jié)
最新試題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題