單項(xiàng)選擇題陶瓷玻化成瓷期的起始溫度是()
A、800℃
B、850℃
C、900℃
D、950℃
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1.單項(xiàng)選擇題回轉(zhuǎn)窯中溫度最高的是()。
A、分解帶
B、放熱反應(yīng)帶
C、燒成帶
D、預(yù)熱帶
2.單項(xiàng)選擇題在硅酸鹽水泥熟料的煅燒中固相反應(yīng)影響因素不包括()。
A、溫度和反應(yīng)時(shí)間
B、生料的細(xì)度及均勻性
C、原料的性質(zhì)
D、燒成設(shè)備
3.單項(xiàng)選擇題()一般不用于水泥生產(chǎn)。
A、回轉(zhuǎn)窯
B、立窯
C、隧道窯
D、立波爾窯
4.單項(xiàng)選擇題不屬于高溫加工過程中的三種方式的是()。
A、煅燒
B、燒成
C、熔化
D、燒結(jié)
5.單項(xiàng)選擇題高嶺土(Al2O3·2SiO2·2H2O)中的H2O是:()
A、化學(xué)結(jié)合水
B、物理化學(xué)結(jié)合水
C、機(jī)械結(jié)合水
D、物理結(jié)合水
最新試題
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();
題型:單項(xiàng)選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:多項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題