A、溫度和反應(yīng)時(shí)間
B、生料的細(xì)度及均勻性
C、原料的性質(zhì)
D、燒成設(shè)備
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A、回轉(zhuǎn)窯
B、立窯
C、隧道窯
D、立波爾窯
A、煅燒
B、燒成
C、熔化
D、燒結(jié)
A、化學(xué)結(jié)合水
B、物理化學(xué)結(jié)合水
C、機(jī)械結(jié)合水
D、物理結(jié)合水
A、3.5%
B、5.5%
C、7.5%
D、10%
A、30℃
B、300℃
C、1200℃
D、1350℃
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
PN結(jié)的基本特性是()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
硅片拋光在原理上不可分為()