單項(xiàng)選擇題國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定水泥生產(chǎn)要控制SO3含量不得超過(guò)()。
A、3.5%
B、5.5%
C、7.5%
D、10%
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1.單項(xiàng)選擇題水泥窯尾廢氣溫度大約在()。
A、30℃
B、300℃
C、1200℃
D、1350℃
2.單項(xiàng)選擇題以下哪種不是主要的水泥組成材料()。
A、熟料
B、石膏
C、混合材
D、石灰石
3.單項(xiàng)選擇題不同窯型生產(chǎn)的熟料最易磨的為()。
A、立窯熟料
B、濕法回轉(zhuǎn)窯熟料
C、干法回轉(zhuǎn)窯熟料
D、回轉(zhuǎn)要熟料+礦渣
4.單項(xiàng)選擇題水泥煅燒過(guò)程中,固相反應(yīng)發(fā)生在()。
A、干燥帶
B、預(yù)熱帶
C、放熱反應(yīng)帶
D、燒成帶
5.單項(xiàng)選擇題阿利特在適量液相存在的條件下,生成溫度大約在()。
A、800℃
B、1250℃
C、1600℃
D、2000℃
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題