A、加熱
B、加壓
C、保溫
D、冷卻
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A、溫度制度
B、氣氛的影響
C、液面制度
D、配合料
A、氣體
B、配合料
C、玻璃液
D、配合料和玻璃料的揮發(fā)物
A、化學(xué)結(jié)合水
B、物理化學(xué)結(jié)合水
C、物理結(jié)合水
D、機(jī)械結(jié)合水
A、單面加壓
B、雙面同時(shí)加壓
C、雙面先后加壓
D、雙面都不加壓
A、烘干—破碎—配料—成型
B、破碎—烘干—配料—成型
C、配料—破碎—烘干—成型
D、成型—烘干—破碎—配料
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
硅片拋光在原理上不可分為()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
PN結(jié)的基本特性是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
可用作硅片的研磨材料是()