單項(xiàng)選擇題組成合金的最基本獨(dú)立物質(zhì)稱為()。
A、相
B、組元
C、組織
D、以上答案都對(duì)
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1.單項(xiàng)選擇題剛在熱加工后形成纖維組織,使剛的性能發(fā)生變化,即沿纖維的方向具有較高的(),沿垂直于纖維的方向具有較高的抗剪強(qiáng)度。
A、抗拉強(qiáng)度
B、抗彎強(qiáng)度
C、抗剪強(qiáng)度
D、以上答案都對(duì)
2.單項(xiàng)選擇題冷熱加工的區(qū)別在于加工后是否存在()。
A.加工硬化
B.晶格改變
C.纖維組織
D.以上答案都對(duì)
3.單項(xiàng)選擇題再結(jié)晶和重結(jié)晶都有晶核的形成和晶核的長(zhǎng)大兩個(gè)過(guò)程,它們的主要區(qū)別在于是否有()的改變。
A、溫度
B、晶體結(jié)構(gòu)
C、應(yīng)力狀態(tài)
D、以上答案都對(duì)
4.單項(xiàng)選擇題做疲勞試驗(yàn)時(shí),試樣承受的載荷為()。
A、靜載荷
B、沖擊載荷
C、交變載荷
D、以上答案都對(duì)
最新試題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題