A、門、窗洞口側(cè)邊
B、后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體
C、獨立磚間墻
D、磚墻上
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A、開槽釋放應力
B、砌體的應力一應變曲線
C、砌體原始主應力值
D、彈性模量
E、回彈模量
A、主控項目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗合格
B、一般項目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗合格,當采用計數(shù)檢驗時,除有專門要求外,一般項目的合格點率應達到80%及以上,且不得有嚴重缺陷
C、僅隱蔽工程驗收記錄
D、具有完整的施工操作依據(jù)和質(zhì)量驗收記錄
A、施工技術(shù)標準
B、健全的質(zhì)量管理體系
C、施工質(zhì)量控制
D、質(zhì)量檢驗制度
A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應不小于1.5m。
B、同一墻體上測點數(shù)不宜多于1個,測點數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、扁頂法應與其他砌筑砂漿強度檢測或砌體抗剪強度檢測一同使用。
A、組砌方式
B、灰縫砂漿飽滿度
C、灰縫寬度
D、截面尺寸
E、垂直度及裂縫
最新試題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()