A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應(yīng)不小于1.5m。
B、同一墻體上測點數(shù)不宜多于1個,測點數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、扁頂法應(yīng)與其他砌筑砂漿強度檢測或砌體抗剪強度檢測一同使用。
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A、組砌方式
B、灰縫砂漿飽滿度
C、灰縫寬度
D、截面尺寸
E、垂直度及裂縫
A、塊材強度
B、砂漿強度
C、抹灰強度
D、砌體強度
A、推出法
B、單剪法
C、砂漿片剪法
D、點荷法和射釘法(貫入法)
A.原位軸壓法
B、原位單剪法
C、扁頂法
D、雙剪法
A、基礎(chǔ)不均勻沉降
B、溫度應(yīng)力
C、荷載過小
D、砌體質(zhì)量問題
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()