只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）