懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

可用作硅片的研磨材料是（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）