為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。

集成電容主要有幾種結構？

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？