在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。