在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

版圖設計的基本前提是什么？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。