試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。