集成電路電阻可以通過（）產生。

材料根據(jù)流經材電流的不同可分為三類（）。

什么是MOS器件的體效應？

由硅片生產的半導體產品，又被稱為（）。

版圖設計的基本前提是什么？

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。