根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

半導體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。