判斷題刻蝕的高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。
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版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
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為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
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編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
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在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
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什么是MOS器件的體效應(yīng)？
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